Zkus třeba tohle 

https://www.fiberoptics4sale.com/blogs/archive-posts/95050886-optical-modulators-tutorial-electroabsorption-modulator-eam-and-lithium-niobate-mach-zehnder-modulator-modulator-mz-modulator


Šíře zakázaného pásu u přechodu P-N se mění v závislosti na napětí v závěrném směru 

Without bias voltage across the p-n junction, the bandgap of the active region is just wide enough to be transparent at the wavelength of the laser light.

Takže když tam není napětí, je ten  zakázaný pás  široký, takže jím světlo projde

However, when a sufficiently large reverse bias is applied across the p-n junction, the effective bandgap is reduced to the point where the active region begins to absorb the laser light and thus becomes opaque.

A když tam přivedeme napětí, šíře zakázaného pásu se zmenší, takže to nepropouští světlo.

Ale tady z toho není zřejmé, proč různě široký přechod propouští nebo nepropouští světlo 

I když, tohle asi vysvětlím já:  ten foton, když se prodírá materiálem, má snahu se nechat absorbovat.
Pokud je zakázaný pás široký, nemá foton dostatečnou energii na to, aby vyrazil elektron z valenčního pásu do vodivostního.
Pokud šíři zakázaného pásu snížíme, tak foton už má dostatečnou energii na  vyražení  elektronu , takže je absorbován, tedy mizí.
  
Proč se mění šíře zakázaného pásu s napětím netuším, ASI se tady ohýbají oba pásy podobně jako u úplně obyčejné diody, a tím dochází ke změně toho zakázaného, ale tohle je můj odhad 



jmenuje se to  Franz-Keldysh effect,


NA Wikipedii je jakýsi přehled, ale vysvětlení tam také není  
https://en.wikipedia.org/wiki/Electro-absorption_modulator




https://www3.nd.edu/~gsnider/EE698A/Rajkumar_opt_mod.pdf


http://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:546777/FULLTEXT01
od kap. 3